이미터 접지 transistor의 특성(特性) experiment(실험)
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작성일 24-07-05 16:22
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설명
목적
이미터 접지 transistor(트랜지스터) （Common Emitter Transistor）의 동작 원리를 배우고 중요한 전기적 속성 를 observe하고 측정(measurement)하여 해석한다．
서론
쌍극성（bipolar) transistor(트랜지스터) 는 이미터（emitter), 베이스（base), 콜렉터（collector)의 세 개의 영역으로 구성되어 있으며 두 개의 접합면을 가지고 있고 NPN와 PNP의 ２종류가 있다． 베이스 내의 케리어（carrier)의 흐름을 매개로 이미터 전류의 變化(변화)가 콜렉터 전류의 變化(변화)로 나타나는 전류 제어형 소자이다．
이미터 접지는 전압， 전류 및 전력의 증폭율이 커서 베이스나 콜렉터 접지보다 더 많이 사용된다． 그러므로 이미터 접지에 대한 기본 전기적 속성 을 이해하는 것은 매우 중요하다． 이 실험에서 베이스， 콜렉터 전류 관계와 콜렉터 대 이미터 전압 관계를 observe하고 측정(measurement)을 하며 콜렉터 속성 곡선을 그리고 그 속성 곡선으로부터 소자의 전류 이득을 얻는다．
실험 부품 및 기기
전자실험기（ED-2100): NO-2002１대전압계（VOM)１대NPNtransistor(트랜지스터) １개1㏀ 저항： １／４…(생략(省略))
그림 1 실험회로
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