[工學,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography
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작성일 23-10-22 23:43
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2) 시료를 HMDS라는 접착력을 증진시키는 물질을 사용하여 증기에 10여 분간
노출시킨다.2. 實驗(실험) 방법
가. 實驗(실험) 변수PR 두께
Developing time
Exposure time
1~2 micri meter
90 sec
2 sec
5 sec
10 sec
나. 實驗(실험) 준비물
PR coater, Hot plate, PR developer, Stripping chemical, FE-SEM, 광학현미경,
Si wafer 시료
다.
6) 포토마스크(한쪽 면이 감광 유제나 금속막으로 패턴이 되어 있는 사각형의 유리판)와
7) 노광이 끝난 후 시료를 TMAH 용액에 1분 30초 간 담가서 현상한다.
8) Photo lithography 공정이 끝난 시료는 광학현미경을 통하여 PR 두께 change(변화)를
9) 노광시간을 5초, 10초로 하여 위의 實驗(실험)을 반복한다. 이번 實驗(실험)에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 change(변화)를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
PR공정 결과에 어떤 影響을 주는지 확인하고자 한다.
3) 시료 위에 감광제를 뿌린 후 고속 회전하여 원하는 두께로 코팅한다.
5) 수 분간 시료를 대기 중에 놔둬 relaxation 시킨다.공학,기술,반도체공정,실험,Photo,Lithography,기타,실험과제
실험과제/기타
[工學,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography
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[工學,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography
설명
순서
實驗(실험): Photo Lithography
1. 實驗(실험) 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정(measurement)한다.
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다. (…(생략(省略))
