I-V measurement
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작성일 24-01-19 09:46
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I-V measurement
I Introduction
전자재료, 특히 반도체 재료에서 전기적 characteristic(특성)(electrical properties)을 조사하는 것은 상당히 중요하다. 이런 electrical property를 측정(測定) 하는 방법 중에 I-V 측정(測定) 이 있는데, 이는 우리가 원하는 재료에 특정 전압을 흘려 주었을 때 이에 reaction 하여 나타나는 전류를 측정(測定) 함으로써 그 재료의 비저항이라든가 누설전류(leakage current) characteristic(특성), 그리고 파괴 전압 (breakdown voltage) 등을 측정(測定) 할 수 있따 이런 측정(測定) 값을 토대로 우리가 증착한 유전체 박막의 characteristic(특성)을 평가할 수 있게 된다
이런 I-V 측정(測定) 을 이해 하기위해 먼저 일반적인 반도체 재료에서의 carrier transport phenomena에 대상으로하여 간략히 알아본 다음 도체-부도체 사이의 contact으로부터 전류가 흐르는 메커니즘의 이해를 통해 voltage를 흘려줄 때 어떤 reaction 을 통해 전류가 유전체 박막을 통해 흐르게 되는지 알아보겠다. 그리고 마지막으로 실제 측정(測定) 에서 사용되는 장비에 대해 간략히 紹介(소개)하도록 하겠다. 이런 흐름(flow)을 ‘transport…(생략(省略))
본 reference(자료)는 I-V measurement 실험 보고서입니다.
설명
다.
II. Carrier Transport Phenomena in general materials
재료에서 전자와 전공(hole)과 같은 charged particle의 net flow에 의해 전류가 흐른다.
본 자료는 I-V measurement 실험 보고서입니다.
